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纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法

名称纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法公开号1264687公开日2000.08.30主分类号C04

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅微粉精密分级装置

名称碳化硅微粉精密分级装置公开号2338102公开日1999.09.15主分类号B07B7/083

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构

名称以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构公开号1265227公开日2000.08.30主分类号

一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法

名称一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法公开号1257944公开日2000.06.28主分类号C30B29/36&n

日期 2010-12-23   行业专利

一种高温碳化硅半导体材料制造装置

名称一种高温碳化硅半导体材料制造装置公开号1327092公开日2001.12.19主分类号C30B25/02&nbs

日期 2010-12-23   行业专利

一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法

名称一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法公开号1325832公开日2001.12.12主分类号C04B38/00&n

一种纳米碳化硅材料的制备方法

名称一种纳米碳化硅材料的制备方法公开号1327944公开日2001.12.26主分类号C01B31/36

半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管

名称半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管公开号1309816公开日2001.08.22主分类号H01L29/778&

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件

名称碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件公开号1308774公开日2001.08.15主分类号H01L29/24&nbs

日期 2010-12-23   行业专利

利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法

名称利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法公开号1304551公开日2001.07.18主分类号H01L2

通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法

名称通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法公开号1304546公开日2001.07.18主分类号H01L21/04&n

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅激光器

名称碳化硅激光器公开号1304195公开日2001.07.18主分类号H01S3/16

日期 2010-12-23   行业专利

用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法

名称用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法公开号1297258公开日2001.05.30主分类号H01L2

碳化硅晶须强韧化氮化硅基陶瓷轧辊材料的制造方法

名称碳化硅晶须强韧化氮化硅基陶瓷轧辊材料的制造方法公开号1292363公开日2001.04.25主分类号C04B35

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅的生产方法

名称碳化硅的生产方法公开号1290652公开日2001.04.11主分类号C01B31/36

日期 2010-12-23   行业专利

辊道窑用碳化硅辊棒及其制造方法

名称辊道窑用碳化硅辊棒及其制造方法公开号1287987公开日2001.03.21主分类号C04B35/565&nbs

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅半导体开关器件

名称碳化硅半导体开关器件公开号1286805公开日2001.03.07主分类号H01L29/04

日期 2010-12-23   行业专利

一种碳化硅的生产方法

名称一种碳化硅的生产方法公开号1287097公开日2001.03.14主分类号C01B31/36

日期 2010-12-23   行业专利

生长非常均匀的碳化硅外延层

名称生长非常均匀的碳化硅外延层公开号1282386公开日2001.01.31主分类号C30B25/02

日期 2010-12-23   行业专利

一种纳米碳化硅晶须的制备方法

名称一种纳米碳化硅晶须的制备方法公开号1281910公开日2001.01.31主分类号C30B29/36

日期 2010-12-23   行业专利
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