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【深度解析】金刚石多晶散热在高功率器件中的应用与价值

【深度解析】金刚石多晶散热在高功率器件中的应用与价值

在当今科技飞速发展的时代,高功率器件的应用越来越广泛,从通信领域的射频功率放大器到激光技术中的高功率激光器,从先...

日期 2024-10-14   超硬新闻
揭秘金刚石在高功率器件中的应用与市场化难题

揭秘金刚石在高功率器件中的应用与市场化难题

在当今快速发展的电子科技领域,材料创新是推动技术进步的重要驱动力。金刚石,这一集力学、电学、热学、光学、声学及耐...

日期 2024-08-29   超硬新闻

用于功率器件热点定向散热的金刚石单晶-多晶复合微通道热沉

用于功率器件热点定向散热的金刚石单晶-多晶复合微通道热沉
用于功率器件热点定向散热的金刚石单晶-多晶复合微通道热沉
用于功率器件热点定向散热的金刚石单晶-多晶复合微通道热沉

导读随着功率器件集成化、小型化,散热问题成为限制器件性能以及稳定性的瓶颈,其中值得关注的一个问题是:器件表面的热源分布是不均匀的,存在一个或者多个热流密度显著高于其他区...

日期 2023-08-16   超硬新闻

金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚

金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚
金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚
金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚

氮化镓(GaN)现在很火。而更火的是,为了进一步提高GaN的性能,不同厂商竞相将GaN与其他材料集成在一起。“无论是在器件级还是系统级,金刚石基氮化镓都可以提供高导热率...

日期 2020-05-27   超硬新闻

盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程

盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到41.4W/mm。近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮...

日期 2019-08-29   超硬新闻
用于下一代功率器件的金刚石表面水蒸气退火技术

用于下一代功率器件的金刚石表面水蒸气退火技术

钻石因其耀眼的美感而备受追捧,通常以精美的珠宝展示。但是,这种固体碳也因其出色的物理和电子特性而闻名。在日本,由...

日期 2019-01-08   超硬新闻
金刚石表面水蒸气退火引领新一代功率器件

金刚石表面水蒸气退火引领新一代功率器件

钻石通常作为华丽的珠宝陈列而示。但是这种固体碳也以其优异的物理和电子性能而闻名。在日本,由KyoYoshida领...

日期 2018-09-04   超硬新闻

美国研发出金刚石/氮化硼晶体层可用于高功率器件

近日,北卡罗来纳州立大学的材料研究人员已经开发出一种对新技术,将金刚石沉积在立方体氮化硼表面(c-BN),结合成一个新的单晶体结构。“这种材料可以

日期 2016-05-31   国际资讯
新技术突破改善碳化硅功率器件

新技术突破改善碳化硅功率器件

日本东京大学近日研发新型碳化硅绝缘薄膜生长技术,极大地改善了碳化硅功率器件的性能。高性能功率器件常用在高压、大电...

日期 2014-08-11   国际资讯

中国实现碳化硅大功率器件批量生产

中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S...

日期 2014-01-22   技术信息

利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法

名称利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法公开号1304551公开日2001.07.18主分类号H01L2

通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法

名称通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法公开号1304546公开日2001.07.18主分类号H01L21/04&n

日期 2010-12-23   行业专利
  共 12 条记录

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第六届磨料磨具磨削展览会暨2023金刚石产业大会

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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。