通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法 _专利

通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法

关键词碳化硅 , 功率器件|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法公开号1304546公开日2001.07.18主分类号H01L21/04&n

名称	通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法
公开号	1304546	公开日	2001.07.18
主分类号	H01L21/04	分类号	H01L21/04
申请号	99807101.3
分案原申请号		申请日	1999.06.07
颁证日		优先权	1998.6.8 US 09/093,208
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗来纳州
发明人	A·V·苏沃罗夫;J·W·帕穆尔;R·辛格	国际申请	PCT/US99/12713 1999.6.7
国际公布	WO99/67825 英 1999.12.29	进入国家日期	2000.12.07
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	陈霁;王忠忠
摘要	掩蔽碳化硅衬底的表面，在衬底限定开口，通过该开口，以能够形成深p型注入的注入能量和剂量，向碳化硅衬底中注入p型掺杂剂，并且通过该开口，以能够相对于深p型注入形成浅n型注入的能量和剂量，向碳化硅衬底中注入n型掺杂剂，由此制造碳化硅功率器件。在低于1650 ℃但较好高于约1500℃的温度下，退火深p型注入和浅n型注入。退火时间较好在约5分钟至约30分钟。也可以将从室温到退火温度的升温时间控制在少于约100分钟但多于约30分钟。也可以通过在少于约2 分钟的时间内将温度从退火温度降低到低约1500℃控制退火后的降温时间。通过控制升温时间、退火时间和／或温度和／或降温时间，可以制造高性能的碳化硅功率器件。

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