利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法 _专利

利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法

关键词碳化硅功率器件 , 自对准方法 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法公开号1304551公开日2001.07.18主分类号H01L2

名称	利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法
公开号	1304551	公开日	2001.07.18
主分类号	H01L21/336	分类号	H01L21/336
申请号	99807102.1
分案原申请号		申请日	1999.06.07
颁证日		优先权	1998.6.8 US 09/093,207
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗来纳州
发明人	A·V·苏沃罗夫;J·W·帕尔穆尔;R·辛格	国际申请	PCT/US99/12714 1999.6.7
国际公布	WO99/65073 英 1999.12.16	进入国家日期	2000.12.07
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	陈霁;张志醒
摘要	通过掩模中的开口在碳化硅衬底中注入p型掺杂剂，形成深p型注入，从而制造碳化硅功率器件。N型掺杂剂通过掩模中相同开口注入到碳化硅衬底中，相对于深p型注入形成浅n型注入。以足以使深 p型注入横向扩散到包围浅n型注入的碳化硅衬底表面的温度和时间，进行退火，同时不使p型注入通过浅n型注入纵向扩散到碳化硅衬底表面。因此，通过离子注入可以进行自对准浅和深注入，通过促使具有高扩散系数的p型掺杂充分扩散，同时具有低扩散系数的n 型掺杂剂保持相对固定的退火，可以形成很好控制的沟道。因此，可以在n型源周围形成p－基区。可以制造横向和纵向功率MOSFETs。

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