碳化硅半导体开关器件 _专利

碳化硅半导体开关器件

关键词碳化硅半导体 , 开关器件 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅半导体开关器件公开号1286805公开日2001.03.07主分类号H01L29/04

名称	碳化硅半导体开关器件
公开号	1286805	公开日	2001.03.07
主分类号	H01L29/04	分类号	H01L29/04
申请号	98813915.4
分案原申请号		申请日	1998.03.19
颁证日		优先权
申请人	株式会社日立制作所	地址	日本东京都
发明人	大野俊之;岩崎贵之;八尾勉	国际申请	PCT.JP98/01185 1998.3.19
国际公布	WO99.48153 日 1999.9.23	进入国家日期	2000.09.18
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	吴增勇;叶恺东
摘要	本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸的界面，而延伸的界面包括与碳化硅单晶（１１２０）取向平行或大致与之平行的晶面。因此减小漏电流。

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