一种高温碳化硅半导体材料制造装置 _专利

一种高温碳化硅半导体材料制造装置

关键词碳化硅 , 半导体材料 , 制造装置 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称一种高温碳化硅半导体材料制造装置公开号1327092公开日2001.12.19主分类号C30B25/02&nbs

名称	一种高温碳化硅半导体材料制造装置
公开号	1327092	公开日	2001.12.19
主分类号	C30B25/02	分类号	C30B25/02;C30B29/36
申请号	00109107.7
分案原申请号		申请日	2000.06.07
颁证日		优先权
申请人	中国科学院半导体研究所	地址	100083北京市912信箱
发明人	李晋闽;孙国胜;朱世荣;曾一平;孙殿照;王雷	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平
摘要	一种高温碳化硅半导体材料制造装置，包括前级进样室、样品传递装置、样品生长装置、插板阀和抽气设备；其中样品传递装置、前级进样室、插板阀和样品生长装置通过标准CF或标准VCR依序连接密封在一直线上；前级进样室和样品生长装置的下方连接有一抽气设备；本发明其是兼有高生长速率和原位及实时监测的新型碳化硅宽带隙材料的高真空制造装置，能够克服上述现有技术的技术缺陷，能够满足碳化硅器件对材料的要求。

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