碳化硅半导体结构上的层叠电介质 _专利

碳化硅半导体结构上的层叠电介质

关键词碳化硅半导体 , 层叠电介质 |2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅半导体结构上的层叠电介质公开号1336010公开日2002.02.13主分类号H01L29/51

名称	碳化硅半导体结构上的层叠电介质
公开号	1336010	公开日	2002.02.13
主分类号	H01L29/51	分类号	H01L29/51;H01L21/28;H01L29/24
申请号	99811468.5
分案原申请号		申请日	1999.08.27
颁证日		优先权	1998.8.28__US_09/141,795
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗莱纳
发明人	劳里·A·里浦金;约翰·W·帕尔莫	国际申请	PCT/US99/19775 1999.8.27
国际公布	WO00/13236 英 2000.3.9	进入国家日期	2001.03.28
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚
摘要	公开了一种用于碳化硅基半导体器件的电介质结构。在栅极器件中，该结构包括碳化硅层，位于碳化硅层上的二氧化硅层，位于二氧化硅层上的另一绝缘材料层，该绝缘材料具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数，和与绝缘材料接触的栅极接触。在另一器件中，电介质结构形成增强的钝化层或者场绝缘体。

① 凡本网注明"来源：超硬材料网"的所有作品，均为河南远发信息技术有限公司合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明"来源：超硬材料网"。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。

② 凡本网注明"来源：XXX（非超硬材料网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

③ 如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的，请在30日内进行。

※ 联系电话：0371-67667020