通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法 _专利

通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法

关键词碳化硅半导体 , 热修复法 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法公开号1272957公开日2000.11.08主分类号H01L21/26

名称	通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法
公开号	1272957	公开日	2000.11.08
主分类号	H01L21/265	分类号	H01L21/265;H01L21/324;C30B35/00
申请号	98809723.0
分案原申请号		申请日	1998.09.14
颁证日		优先权	[32]1997.9.30[33]DE[31]19743127.5
申请人	因芬尼昂技术股份公司	地址	德国慕尼黑
发明人	K·赫尔兹莱恩; R·鲁普; A·维登霍菲	国际申请	PCT.DE98/02722 1998.9.14
国际公布	WO99.17345 德 1999.4.8	进入国家日期	2000.03.30
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	张志醒
摘要	至少将一个经过注入掺杂的碳化硅半导体在气流中进行热修复的方法，其特征在于：将该至少一个磁化硅半导体（１０i）置入几乎不含碳的气流（１２）中。并且将该至少一个碳化硅半导体（１０i）用一个托盘（１６）放在容器（１３）中；放置碳化硅半导体（１０i ）用的托盘（１６）和容器（１３）至少与气流（１２）发生接触的部分至少是用一种金属或者至少是用一种金属化合物制成的。

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