一种纳米碳化硅材料的制备方法 _专利

一种纳米碳化硅材料的制备方法

关键词纳米碳化硅材料 , 制备方法 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称一种纳米碳化硅材料的制备方法公开号1327944公开日2001.12.26主分类号C01B31/36

名称	一种纳米碳化硅材料的制备方法
公开号	1327944	公开日	2001.12.26
主分类号	C01B31/36	分类号	C01B31/36
申请号	01127650.9
分案原申请号		申请日	2001.07.25
颁证日		优先权
申请人	中山大学	地址	510275广东省广州市新港西路135号
发明人	许宁生;吴志盛;邓少芝;周军	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	广州市专利事务所	代理人	华辉
摘要	本发明涉及一种纳米碳化硅材料的制备方法。本方法以商用纳米量级、微米量级或块状等不同形状和大小的SiC原料为原材料，加上催化剂，预先抽真空，然后通入惰性气体作为保护气氛，最后加热至1300～2000℃并保温一段时间，制备得到的具有碳化硅纳米棒或纳米线的纳米材料，有助于相关碳化硅光电器件，特别是纳米光电器件和场发射阴极电子源的研制。本方法工艺简单，原材料成本低，产率高。

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