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官方微信摘要 名称块状碳化硅单晶生长的制备方法公开号1367275公开日2002.09.04主分类号C30B29/36
| 名称 | 块状碳化硅单晶生长的制备方法 | ||
| 公开号 | 1367275 | 公开日 | 2002.09.04 |
| 主分类号 | C30B29/36 | 分类号 | C30B29/36 |
| 申请号 | 01105256.2 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 2001.01.20 | |
| 颁证日 | 优先权 | ||
| 申请人 | 上海德波赛康科研有限公司 | 地址 | 201203上海市张江园区郭守敬路351号海泰楼611－10室 |
| 发明人 | 徐良瑛;束碧云;徐汉彦;王跃进;李定基;董博德 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 上海航天局专利事务所 | 代理人 | 冯和纯 |
| 摘要 | 本发明涉及生产碳化硅单晶的方法，为解决生产大尺寸的碳化硅单晶，本发明提供了一种块状碳化硅单晶生长的制备方法，通过制备高纯碳化硅原料和结构完整的籽晶制备，在高温高真空及晶体生长温度精密控制下，利用SIC材料的分解和升华，在籽晶上生长块状碳化硅晶体。 | ||
豫公网安备41010202002335号