氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法 _专利

氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法

关键词氮化铝 , 碳化硅 , 氮化铝|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法公开号1344336公开日2002.04.10主分类号C30

名称	氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法
公开号	1344336	公开日	2002.04.10
主分类号	C30B29/36	分类号	C30B29/36;C30B29/38;C30B23/00;C30B29/40
申请号	99811961.X
分案原申请号		申请日	1999.10.08
颁证日		优先权	1998.10.9__US_09/169,401
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗莱纳
发明人	C·E·亨特	国际申请	PCT/US99/23487 1999.10.8
国际公布	WO00/22203 英 2000.4.20	进入国家日期	2001.04.09
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	段承恩
摘要	采用在许多成核点沉积Al、Si、N、C的适当蒸汽物质制备了低缺陷浓度、低杂质的氮化铝、碳化硅及氮化铝：碳化硅合金块状单晶，这些成核点是择优冷却至低于晶体生长室内周围表面温度的。通过升华固态材料、汽化液态Al、Si或Al－Si、或注入源气体来提供蒸汽物质。这些许多成核点可能未引种或者采用籽晶如4H或6HSiC进行经引种的。

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