以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构 _专利

以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构

关键词碳化硅材料基材 , 半导体结构 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构公开号1265227公开日2000.08.30主分类号

名称	以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构
公开号	1265227	公开日	2000.08.30
主分类号	H01L29/24	分类号	H01L29/24;//H01L29/78,29/808H01L29/812,,29/739
申请号	98807535.0
分案原申请号		申请日	1998.07.27
颁证日		优先权	[32]1997.7.31[33]DE[31]19733076.2
申请人	西门子公司	地址	德国慕尼黑
发明人	德萨德·彼得斯; 莱因霍尔德·肖纳	国际申请	PCT.DE98/02108 1998.7.27
国际公布	WO99.7018 德 1999.2.11	进入国家日期	2000.01.24
专利代理机构	柳沈知识产权律师事务所	代理人	侯宇
摘要	一种以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构。该SiC半导体结构（2）至少包含三个半导体区（G1至G3），其中第三半导体（G3）的表面包围第二半导体区（G2）的表面，即第二分型面（F2），而第二半导体区（G2）表面又包围第一半导体区（G1）的表面，即第一分型面（ F1)。根据本发明，第二分型面（F2）的边部（R2）的轮廓由第一分型面（F1）的边部（R1）的轮廓所决定，两者的关系是：第二分型面（F2）基本上是第一分型面（F1 ）的特殊扩展图像，其中第二分型面（F2）的边部（R2）的轮廓与该扩展图像的精确轮廓（Re）的偏差（△a）最大为±10nm。