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碳化硅半导体结构上的层叠电介质

名称碳化硅半导体结构上的层叠电介质公开号1336010公开日2002.02.13主分类号H01L29/51 

具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用

名称具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用公开号1267397公开日2000.09.20主分类号

日期 2010-12-23   行业专利

以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构

名称以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构公开号1265227公开日2000.08.30主分类号

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