具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用 _专利

具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用

关键词 α碳化硅区 , 半导体结构|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用公开号1267397公开日2000.09.20主分类号

名称	具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用
公开号	1267397	公开日	2000.09.20
主分类号	H01L29/24	分类号	H01L29/24;H01L29/78;H01L29/739
申请号	98808324.8
分案原申请号		申请日	1998.04.01
颁证日		优先权	[32]1997.8.20[33]DE[31]19736211.7
申请人	西门子公司	地址	德国慕尼黑
发明人	莱因霍尔德·肖纳; 迪特里希·斯蒂法妮; 德萨德·彼得	国际申请	PCT.DE98/00931 1998.4.1
国际公布	WO99.9598 德 1999.2.25	进入国家日期	2000.02.21
专利代理机构	柳沈知识产权律师事务所	代理人	侯宇
摘要	本发明涉及一种半导体结构（ＨＳ），它包括至少一个α碳化硅区（３、１０、１１）和一个例如为氧化层的电绝缘区（１３a）以及一个在它们之间的界面（２０）。通过为至少一个邻近界面的区选择一种能带宽度比６Ｈ碳化硅多型的能带宽度小的α碳化硅多型，提高了在此区内载流子的迁移率。

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