用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法 _专利

用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法

关键词碳化硅N沟场效应晶体管|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法公开号1297258公开日2001.05.30主分类号H01L2

名称	用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法
公开号	1297258	公开日	2001.05.30
主分类号	H01L29/786	分类号	H01L29/786
申请号	00130957.9
分案原申请号		申请日	2000.11.22
颁证日		优先权
申请人	朗迅科技公司	地址	1999.11.23 US 09/448,856
发明人	谭健;阿施拉夫·瓦吉赫·洛特菲	国际申请	美国新泽西州
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚
摘要	一种形成在半导体晶片的衬底之上的横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、一种制造它的方法和组装了MOSFET的半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，MOSFET包括位于衬底之上或之内的碳化硅层，栅极形成于碳化硅层之上。MOSFET还包括位于碳化硅层中并且与该栅极接触的源区和漏区，碳化硅层提高了 MOSFET的击穿电压。