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官方微信摘要 名称纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法公开号1264687公开日2000.08.30主分类号C04
| 名称 | 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法 | ||
| 公开号 | 1264687 | 公开日 | 2000.08.30 |
| 主分类号 | C04B35/573 | 分类号 | C04B35/573 |
| 申请号 | 00114425.1 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 2000.03.15 | |
| 颁证日 | 优先权 | ||
| 申请人 | 武汉工业大学 | 地址 | 430070湖北省武汉武昌珞狮路112号 |
| 发明人 | 武七德; 魏明坤; 王怀德; 韩建军; 洪小林 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 湖北省专利事务所 | 代理人 | 盛亚仙 |
| 摘要 | 一种用水为分散剂，以纯碳粉取代碳化硅粉制造高性能反应烧结碳化硅陶瓷的方法，采用添加外加剂的方法制成高分散的水基泥浆（料），采用注浆、挤塑、凝胶注成型的方法制成生坯，用控制粉料粒径以及烧蚀剂、填充剂加入量的方法，调整生（素）坯的孔径分布和单位体积碳含量，生坯经干燥后，经１５５０～２１６５０℃真空下或１８５０～２０５０℃氩气气氛下渗硅烧结２小时，制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。 | ||
豫公网安备41010202002335号