碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件 _专利

碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件

关键词碳化硅 , 半导体器件 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件公开号1308774公开日2001.08.15主分类号H01L29/24&nbs

名称	碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件
公开号	1308774	公开日	2001.08.15
主分类号	H01L29/24	分类号	H01L29/24;H01L29/808;H01L21/04
申请号	99808341.0
分案原申请号		申请日	1999.06.08
颁证日		优先权	1998.7.9 US 09/112686
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗来纳州
发明人	R·辛格	国际申请	PCT/US99/12861 1999.6.8
国际公布	WO00/03440 英 2000.1.20	进入国家日期	2001.01.08
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	王勇;王忠忠
摘要	本发明揭示了多种碳化硅沟道半导体器件，通过利用半导体栅极层和掩埋基区当栅极上无偏置电压时产生一个“夹断”栅极区，去掉了栅极绝缘体。在本发明的实施例中，半导体器件包括一个第一类电导类型碳化硅漂移层，其中碳化硅漂移层有一个第一表面，并且有一个沟道区。在碳化硅漂移层中提供了一个第二类电导类型半导体材料的掩埋基区，以定义沟道区。在碳化硅漂移层的第一表面上形成了一个第二类电导类型半导体材料的栅极层，与碳化硅漂移层的沟道区相邻。在栅极层上还可以形成一个栅极接触。晶体管和闸流管都可以提供。

① 凡本网注明"来源：超硬材料网"的所有作品，均为河南远发信息技术有限公司合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明"来源：超硬材料网"。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。

② 凡本网注明"来源：XXX（非超硬材料网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

③ 如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的，请在30日内进行。

※ 联系电话：0371-67667020