半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管 _专利

半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管

关键词氮化物 , 晶体管 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管公开号1309816公开日2001.08.22主分类号H01L29/778&

名称	半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
公开号	1309816	公开日	2001.08.22
主分类号	H01L29/778	分类号	H01L29/778
申请号	99808532.4
分案原申请号		申请日	1999.06.02
颁证日		优先权	1998.6.12 US 09/096,967
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗莱纳
发明人	斯科特·T·谢帕德;斯科特·T·阿伦;约翰·W·帕尔莫	国际申请	PCT/US99/12287 1999.6.2
国际公布	WO00/04587 英 2000.1.27	进入国家日期	2001.01.11
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平
摘要	一种高电子迁移率晶体管(HEMT)(10)包括一个半绝缘碳化基底(11)，在基底上是氮化铝缓冲层(12)，在缓冲层上面是绝缘的氮化镓层(13)，氮化镓层上是活性氮化铝镓结构(14)，其上是钝化层 (23)，和至氮化铝镓结构的源、漏极和栅接点(21，22，23)。

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