手机资讯
官方微信摘要 名称碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的Ⅲ族氮化物光子器件公开号1278949公开日2001.01.03主分类号H0
| 名称 | 碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的Ⅲ族氮化物光子器件 | ||
| 公开号 | 1278949 | 公开日 | 2001.01.03 |
| 主分类号 | H01L33/00 | 分类号 | H01L33/00 |
| 申请号 | 98811065.2 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1998.10.06 | |
| 颁证日 | 优先权 | 1997.10.7 US 08/944,547 | |
| 申请人 | 克里公司 | 地址 | 美国北卡罗莱纳 |
| 发明人 | J·A·艾德蒙得;孔华双;K·M·多弗斯派克;M·T·莱昂? | 国际申请 | PCT.US98/21160 1998.10.6 |
| 国际公布 | WO99.18617 英 1999.4.15 | 进入国家日期 | 2000.05.11 |
| 专利代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 这里公开了一种具有Ⅲ族氮化物有源层的光电子器件，该器件包括：碳化硅衬底；具有Ⅲ族氮化物有源层的光电子二极管；选自由氮化镓和铟镓氮构成的组中的缓冲结构，该结构位于所说碳化硅衬底和所说光电子二极管间；及应力吸收结构，包括在所说缓冲结构的晶体结构内的多个预定应力释放区，以便所说缓冲结构中产生的应力诱发开裂，发生在所说缓冲层内的预定区域，而非其它区域。 | ||
豫公网安备41010202002335号