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碳化硅激光器

关键词 碳化硅激光器 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源 中国超硬材料网
摘要 名称碳化硅激光器公开号1304195公开日2001.07.18主分类号H01S3/16

 

名称 碳化硅激光器 
公开号 1304195  公开日 2001.07.18   
主分类号 H01S3/16  分类号 H01S3/16 
申请号 99120120.5 
分案原申请号   申请日 1999.12.13   
颁证日   优先权  
申请人 张洪涛  地址 430074湖北省湖北工学院电气工程与计算机科学系 
发明人 张洪涛  国际申请  
国际公布   进入国家日期  
专利代理机构   代理人  
摘要   碳化硅(SiC)粉体激光器是一种单频、强度连续可调的新型激光器。它需要激光来泵浦,并且随泵浦激光的频率不同,碳化硅(SiC)粉体出射的激光频率也不同。碳化硅(SiC)粉体出射的激光为空间全方位的。碳化硅(SiC)粉体的平均粒径从微米级到纳米级均可,或纳米到微米级的混合体。SiC的颗粒形状可为球状、不规则状或纤维状、晶须等形状。产生激光的碳化硅(SiC)粉体要求一定的厚度和面积,一般为面积不小于50μm#+[2],厚度大于0.5μm。 
 

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