摘要 名称碳化硅激光器公开号1304195公开日2001.07.18主分类号H01S3/16
名称 | 碳化硅激光器 | ||
公开号 | 1304195 | 公开日 | 2001.07.18 |
主分类号 | H01S3/16 | 分类号 | H01S3/16 |
申请号 | 99120120.5 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1999.12.13 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 张洪涛 | 地址 | 430074湖北省湖北工学院电气工程与计算机科学系 |
发明人 | 张洪涛 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 代理人 | ||
摘要 | 碳化硅(SiC)粉体激光器是一种单频、强度连续可调的新型激光器。它需要激光来泵浦,并且随泵浦激光的频率不同,碳化硅(SiC)粉体出射的激光频率也不同。碳化硅(SiC)粉体出射的激光为空间全方位的。碳化硅(SiC)粉体的平均粒径从微米级到纳米级均可,或纳米到微米级的混合体。SiC的颗粒形状可为球状、不规则状或纤维状、晶须等形状。产生激光的碳化硅(SiC)粉体要求一定的厚度和面积,一般为面积不小于50μm#+[2],厚度大于0.5μm。 |