近日，北卡罗来纳州立大学的材料研究人员已经开发出一种对新技术，将金刚石沉积在立方体氮化硼表面（c-BN），结合成一个新的单晶体结构。“这种材料可以
申请号：201410107135.8申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所摘要：本发明公开了一种金刚石器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤（1）在有导...
6月12-15日，由中国真空学会、西安交通大学、陕西省科学技术协会、中国真空网和陕西省真空学会联合主办的“单晶金...
6月12-15日，由西安交通大学、中国真空学会、陕西省科学技术协会和陕西省真空学会联合主办，西安交通大学宽禁带半...
6月14日，按照“自愿、平等、合作”的原则，西安交通大学、早稻田大学、日本国立物质材料研...
申请号：201410011479申请人：中国电子科技集团公司第十二研究所摘要：一种太赫兹真空器件用的金刚石输能窗片及其制造方法，属于真空电子器件领域，该金刚石输能窗片结...
完成单位：湖南宇晶机器股份有限公司，湖南大学，湘潭大学，温州大学完成人员：戴瑜兴、张义兵、熊万里、蒋近、周志雄、全惠敏、杨宇红、郑崇伟、蔡国安、刘春陵、王环、杨辉煌&
中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出，这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S...
石墨烯（Graphene）是由单层碳原子构成蜜蜂窝形式的二维纳米结构，具有大的比表面积和良好的载流子传导性能，预...
名称碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件公开号1308774公开日2001.08.15主分类号H01L29/24&nbs
名称利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法公开号1304551公开日2001.07.18主分类号H01L2
名称通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法公开号1304546公开日2001.07.18主分类号H01L21/04&n
名称碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的Ⅲ族氮化物光子器件公开号1278949公开日2001.01.03主分类号H0
名称一种制造电子元器件金属外壳用金刚石膜拉深模具公开号2429278公开日2001.05.09主分类号B21D37/
名称碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件公开号1137331公开日1996.12.04主分类号H01L33/
名称磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层公开号1332446公开日2002.01.23主分类号G11B5/
名称磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层公开号1155140公开日1997.07.23主分类号G11B5/
2月7日，中国超硬材料网总经理石超一行走进郑州沃德超硬材料有...
10月28日，中国超硬材料网总经理石超、顾问吕华伟、南阳富栊...
中国超硬材料网将通过一件件大事件回顾2023年的超硬材料行业华丽蝶变，在回顾和盘点中，温故知新！
2023年9月20日，时隔四年，期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展，加强国内外企业的交流与合作。
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