射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件 _专利

射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件

关键词碳化硅场效应晶体管|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件公开号1359535公开日2002.07.17主分类号H01L21/6

名称	射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件
公开号	1359535	公开日	2002.07.17
主分类号	H01L21/60	分类号	H01L21/60;H01L23/49
申请号	99812144.4
分案原申请号		申请日	1999.09.23
颁证日		优先权	1998.10.13_SE_9803485－3
申请人	艾利森电话股份有限公司	地址	瑞典斯德哥尔摩
发明人	A·利特温;T·约翰松	国际申请	PCT/SE99/01670 1999.9.23
国际公布	WO00/22666 英 2000.4.20	进入国家日期	2001.04.13
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	王勇;李亚非
摘要	本发明涉及到用来互连射频功率SiC场效应晶体管的方法和器件。为了改善寄生源电感，利用了晶体管的小尺寸，其中键合焊点被置于管芯的二个侧面上，使大多数源键合引线(6)垂直于栅和漏键合引线(7，8)走线。多个键合引线可以被连接到源键合焊点，降低了源电感。由于正交引线安排造成源/栅之间和源/漏之间互感降低，故这种安排还带来额外的优点。

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