高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法 _专利

高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法

关键词碳化硅场效应晶体管|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法公开号1347570公开日2002.05.01主分类号H01L29/

名称	高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法
公开号	1347570	公开日	2002.05.01
主分类号	H01L29/78	分类号	H01L29/78;H01L29/24;H01L21/336
申请号	00806545.4
分案原申请号		申请日	2000.04.20
颁证日		优先权	1999.4.22__SE_9901440－9
申请人	阿克里奥股份公司	地址	瑞典基斯塔
发明人	安德瑞·康斯坦特诺夫;克里斯托弗·哈里斯;苏珊·萨维	国际申请	PCT/SE00/00773 2000.4.20
国际公布	WO00/65660 英 2000.11.2	进入国家日期	2001.10.22
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚
摘要	用于高温应用的SiC场效应晶体管具有与其中设置了栅极(12)的前表面(14)垂直分开的源区层(4)、漏区层(5)和沟道区层(6、7)，在晶体管工作时用于减小所述前表面的电场，在作为气体传感器工作情况下，容许除了栅极以外的所有电极被保护而不暴露于气氛。

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