碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件 _专利

碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件

关键词碳化硅 , 氮化镓 , 缓冲结构|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件公开号1137331公开日1996.12.04主分类号H01L33/

名称	碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
公开号	1137331	公开日	1996.12.04
主分类号	H01L33/00	分类号	H01L33/00;H01L21/20
申请号	94194481.6
分案原申请号		申请日	1994.11.01
颁证日		优先权	[32]1993.12.13[33]US[31]08/166,229
申请人	克里研究公司	地址	美国北卡罗来纳
发明人	约翰·A·埃德蒙得; 伍拉迪米尔·德米特里夫; 克尼斯?	国际申请	PCT.US94/13940 94.11.1
国际公布	WO95.17019 英 95.6.22	进入国家日期	1996.06.13
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平
摘要	本发明公开了一种过渡晶体结构，用于在一个单晶碳化硅层和一个单晶氮化镓层之间提供优良的晶格匹配和热匹配。这种过渡晶体结构包括一个缓冲区，它由以下结构构成：一个第一氮化镓和氮化铝层，一个与所述第一层邻接的第二氮化镓和氮化铝层。第二层中氮化铝的克分子百分比与第一层中氮化铝的克分子百分比显著不同。一个单晶氮化镓层制作于所述第二氮化镓层上。最佳实施例中，缓冲区还包括一个位于一个碳化硅衬底上的氮化铝外延层。

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