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　　申请号：201410107135.8

　　申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

　　摘要：本发明公开了一种金刚石器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤（1）在有导电沟道的金刚石表层上的有源区覆盖光刻胶；（2）将有源区外金刚石导电沟道去除；去除光刻胶（3）在源、漏位置以外处覆盖光刻胶；（4）转移石墨烯覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯上面沉积欧姆接触金属；（6）剥离，形成源漏；（7）制备栅。本发明制备方法简单，在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层，石墨烯与金刚石，石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触，可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的性能。

　　主权利要求：1.一种金刚石器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤（1）在有导电沟道（2）的金刚石（1）表层上的有源区覆盖光刻胶（3）；（2）将有源区外金刚石导电沟道（2）去除；去除光刻胶（3）；（3）在源（6）、漏（7）位置以外处覆盖光刻胶（3）；（4）转移石墨烯（4）覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯（4）上面沉积欧姆接触金属（5）；（6）剥离，形成源（6）、漏（7）；（7）制备栅（8）。

　　2.根据权利要求１所述的金刚石器件的制备方法，其特征在于步骤（1）中金刚石表面导电沟道为n型或p型。

　　3.根据权利要求１所述的金刚石器件的制备方法，其特征在于步骤（1）中金刚石中形成表面导电沟道（2）的方法为氢等离子体处理法、化学掺杂法或B掺杂法。

　　4.根据权利要求１所述的金刚石器件的制备方法，其特征在于步骤（2）去除导电沟道的方法为干法刻蚀。

　　5.根据权利要求4所述的金刚石器件的制备方法，其特征在于步骤（2）去除导电沟道的方法为等离子体刻蚀法。

　　6.根据权利要求１所述的金刚石器件的制备方法，其特征在于步骤（4）所述石墨烯为单层石墨烯或多层石墨烯。

　　7.根据权利要求１所述的金刚石器件的制备方法，其特征在于步骤（5）所述欧姆接触金属为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴或铁中的一种，或至少两种相互组合的合金。