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单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟正式成立

单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟正式成立

6月14日,按照“自愿、平等、合作”的原则,西安交通大学、早稻田大学、日本国立物质材料研...

日期 2014-06-17   超硬新闻

一种太赫兹波段真空器件用的金刚石输能窗片及其制造方法

申请号:201410011479申请人:中国电子科技集团公司第十二研究所摘要:一种太赫兹真空器件用的金刚石输能窗片及其制造方法,属于真空电子器件领域,该金刚石输能窗片结...

日期 2014-05-13   行业专利

电子器件基片加工专用多线切割装备系列化研制与产业化

完成单位:湖南宇晶机器股份有限公司,湖南大学,湘潭大学,温州大学完成人员:戴瑜兴、张义兵、熊万里、蒋近、周志雄、全惠敏、杨宇红、郑崇伟、蔡国安、刘春陵、王环、杨辉煌&

日期 2014-04-25   超硬新闻

中国实现碳化硅大功率器件批量生产

中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S...

日期 2014-01-22   技术信息
苏州纳米所石墨烯高灵敏一氧化氮传感器件研究取得新成果

苏州纳米所石墨烯高灵敏一氧化氮传感器件研究取得新成果

石墨烯(Graphene)是由单层碳原子构成蜜蜂窝形式的二维纳米结构,具有大的比表面积和良好的载流子传导性能,预...

日期 2011-12-24   矿山冶金

射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件

名称射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件公开号1359535公开日2002.07.17主分类号H01L21/6

日期 2010-12-24   行业专利

碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件

名称碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件公开号1308774公开日2001.08.15主分类号H01L29/24&nbs

日期 2010-12-23   行业专利

利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法

名称利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法公开号1304551公开日2001.07.18主分类号H01L2

通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法

名称通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法公开号1304546公开日2001.07.18主分类号H01L21/04&n

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅半导体开关器件

名称碳化硅半导体开关器件公开号1286805公开日2001.03.07主分类号H01L29/04

日期 2010-12-23   行业专利

碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的Ⅲ族氮化物光子器件

名称碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的Ⅲ族氮化物光子器件公开号1278949公开日2001.01.03主分类号H0

日期 2010-12-23   行业专利

一种制造电子元器件金属外壳用金刚石膜拉深模具

名称一种制造电子元器件金属外壳用金刚石膜拉深模具公开号2429278公开日2001.05.09主分类号B21D37/

碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件

名称碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件公开号1137331公开日1996.12.04主分类号H01L33/

日期 2010-12-23   行业专利

磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层

名称磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层公开号1332446公开日2002.01.23主分类号G11B5/

日期 2010-12-16   行业专利

磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层

名称磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层公开号1155140公开日1997.07.23主分类号G11B5/

采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件

名称采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件公开号1069825公开日1993.03.10主分类号H01J1

纳米金刚石制品“打磨”精密元器件 河南造

大河报报道:以纳米金刚石为基础的“河南造”产品即将“打磨”国际市场上的硬盘、磁头、芯片等精密元器件产品,这是记者昨天从郑...

日期 2007-05-25   超硬新闻
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第六届磨料磨具磨削展览会暨2023金刚石产业大会

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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。