采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件 _专利

采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件

关键词金刚石半导体 , 发射极 , 场致发射 , 电子器件 |2010-12-09 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件公开号1069825公开日1993.03.10主分类号H01J1

名称	采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件
公开号	1069825	公开日	1993.03.10
主分类号	H01J1/30	分类号	H01J1/30;H01J9/02;H01J29/46
申请号	92105455.6
分案原申请号		申请日	1992.07.06
颁证日		优先权	[32]1991.8.20[33]US[31]747,564
申请人	莫托罗拉公司	地址	美国伊利诺斯
发明人	罗伯特·C·肯; 詹姆斯·E·詹斯特	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利代理部	代理人	邹光新
摘要	一种具有金刚石半导体电子发射极（１０２）的场致发射器件，发射极有一个暴露面（１２０），呈现出低的／负的电子亲和能，该器件通过调整结耗尽区（１１０）加以控制。向器件的栅极（１０４）施加一个合适的工作电压（１０６）就能调整结耗尽区宽度，从而控制穿过电子发射极（１０２）主体以便在暴露面（１２０）发射的电子。

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