答：实践证明，硅对人造金刚石晶体生长的影响主要表现在两个方面：一是能使晶体生长速度明显加快；二是不同晶面的生长速度受压力和温度的影响较大。
答：用下述合金合成金刚石，其差别十分明显，如用含Mn5%的合金生长金刚石，70/80占12.9%，是含Mn10%合金的2.3~5.1倍，而40/50是含Mn10%合金的...
答：（1）常压下，在含有30-40%Ni的Mn-Ni-C系合金中碳的存在明显地降低其熔点。（2）~48.9GPa压力和含有46~48%的Ni的Mn-Ni-C系合金的参与...
答：关于这个问题可以从以下两个事实给予说明。例1：用渗氮和不渗氮触媒合成金刚石的效果表明，触媒渗氮有提高金刚石晶体抗压强度的作用，但金刚石得量很低，由X衍射分析得知，镍...
答：合金片渗碳后之所以失去触媒作用，主要是以下两方面原因造成的：（1）合金晶体结构被破坏，从而破坏了金刚石成核的结晶基底。（2）合金d带电子组态被破坏，
答：观察分析证明，金刚石生长工艺中整个金刚石表层都附有一层金属膜，为了弄清膜的性质，对膜进行了探针及电子束扫描分析，表所列数据是Ni70Mn25Co5合成金刚石的金属膜...
答：随着压力的升高，Ni70Mn25Co5合金中，再结晶石墨变得越来越细小。表金刚石与再结晶石墨的相对含量压力（GPa）Ni70Mn25Co5合金中金刚石与再结晶石墨含...
专利号：201110119079申请人：天津理工大学技术简要说明：一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法，采用多步生长法来沉积纳米金刚石薄膜，具体步骤如下：
问：金刚石生长室的填装方式有哪些？答：金刚石生长室的填装方式，由于研究对象和工作目的不同，方式很多，主要有：（1）片
专利号：CN102212795A申请人：天津理工大学一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法，采用多步生长法来沉积纳米金刚
专利号：CN102226273A申请人：南京航空航天大学一种金刚石膜生长电极弹性张紧装置，包括底板和衬底工作台，其特
天然金刚石与人造金刚石生长最根本的区别有以下三点：（1）溶剂的不同，天然金刚石是从硅酸盐溶液中生长的，在其中碳的溶解度非常低，而人造金刚石是从金属熔体中生长出来的，其中...
名称在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法公开号1369904公开日2002.09.18主分类号H01L21/3
名称用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体公开号1224084公开日1999.07.28主分类号C30B
名称减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构公开号1167511公开日1997.12.10主分类号
10月28日，中国超硬材料网总经理石超、顾问吕华伟、南阳富栊...
为了解超硬材料及超硬材料制品发展现状，10月22日，中国超硬...
中国超硬材料网将通过一件件大事件回顾2023年的超硬材料行业华丽蝶变，在回顾和盘点中，温故知新！
2023年9月20日，时隔四年，期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展，加强国内外企业的交流与合作。
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