摘要 名称无色碳化硅晶体的生长公开号1210565公开日1999.03.10主分类号C30B23/00
名称 | 无色碳化硅晶体的生长 | ||
公开号 | 1210565 | 公开日 | 1999.03.10 |
主分类号 | C30B23/00 | 分类号 | C30B23/00 |
申请号 | 97192084.2 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1997.01.24 | |
颁证日 | 优先权 | [32]1996.2.5[33]US[31]08/596,526 | |
申请人 | 克里研究公司 | 地址 | 美国北卡罗来纳州 |
发明人 | C·H·卡特; V·F·特斯维特科夫; R·C·格拉丝 | 国际申请 | PCT/US97/01292 97.1.24 |
国际公布 | WO97/28297 英 97.8.7 | 进入国家日期 | 1998.08.05 |
专利代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
摘要 | 在一个炉式升华系统中生长了大尺寸的单晶碳化硅。为了产生基本无色的晶体,生长了具有均衡含量的p型和n型掺杂剂(大致等量的两种掺杂剂)。所说的晶体可以琢磨加工成具有超常韧性和硬度以及满足或超过钻石的光彩的人造宝石。 |