在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法 _专利

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法

关键词蓝宝石衬底 , 碳化硅薄膜|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法公开号1369904公开日2002.09.18主分类号H01L21/3

名称	在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法
公开号	1369904	公开日	2002.09.18
主分类号	H01L21/365	分类号	H01L21/365
申请号	01106742.X
分案原申请号		申请日	2001.02.14
颁证日		优先权
申请人	西安电子科技大学	地址	710071陕西省西安市太白路2号
发明人	郝跃;彭军	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华
摘要	本发明涉及一种在蓝宝石衬底上异质外延生长半导体碳化硅薄膜的方法。主要解决在蓝宝石衬底上直接生长碳化硅薄膜时薄膜与衬底之间粘附性差，不易核生长的缺陷。提出一种在蓝宝石衬底与SiC薄膜之间介入一层缓冲层作为过渡，以减少晶格失配的生长碳化硅薄膜的方法，即在蓝宝石衬底上先淀积一层AlN材料作为缓冲层，形成复合衬底，再在其复合衬底上外延生长SiC薄膜，形成蓝宝石－缓冲层－碳化硅三层结构，在蓝宝石AlN复合衬底上得到单结晶的6H－SiC薄膜。本发明在蓝宝石－氮化铝复合衬底上已经得到的单结晶碳化硅薄膜，具有明显优于在硅衬底上得到的薄膜质量，其应力低于在硅衬底上得到SiC应力的5倍，折射率在正常的SiC薄膜范围内之优点，是制作SiCOI CMOS器件的重要技术，且可保证器件的稳定性和可靠性。