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第三代、第四代半导体衬底材料如何高效加工?器件散热如何攻克?Carbontech半导体与加工主题论坛,上海见

金刚石半导体产业化在即金刚石半导体产业化在即!生长技术大幅度提升,金刚石从工业级-宝石级-热学级-光学级-电子级,逐步跃迁,同时价格下行,带动应用端的尝试。市场需求驱动...

日期 2024-11-14   超硬新闻
日本:多家企业大举进军8英寸键合碳化硅衬底

日本:多家企业大举进军8英寸键合碳化硅衬底

键合碳化硅衬底即指通过在低电阻多晶SiC支撑衬底上键合一层高质量的单晶SiC薄层,这些产品能够在保持单晶SiC特...

日期 2024-10-14   超硬新闻

碳化硅SiC衬底抛光新方向

碳化硅SiC衬底抛光新方向
碳化硅SiC衬底抛光新方向
碳化硅SiC衬底抛光新方向

碳化硅作为一种新兴的半导体材料,具有导热率高、宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等特性,使得其成为目前研发比较集中的半导体材料之一。因为这些性能,碳化硅可以广泛地应用于衬...

日期 2024-08-05   超硬新闻
金刚石衬底抛光的烦恼

金刚石衬底抛光的烦恼

近年来,随着电动汽车和5G通信等新兴产业的迅猛发展,第三代半导体材料如碳化硅和氮化镓受到了广泛关注。然而,在这些...

日期 2024-07-11   超硬新闻
重塑半导体未来:金刚石衬底材料的崛起与无限可能

重塑半导体未来:金刚石衬底材料的崛起与无限可能

随着科技的飞速发展和全球对高性能、高效率半导体器件需求的不断增长,半导体衬底材料作为半导体产业链中的关键技术环节...

日期 2024-07-04   超硬新闻

天岳先进申请金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法专利,能够实现对金刚石衬底的均匀且高效研磨

2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法“,公开号CN20241057902...

日期 2024-06-24   行业专利

中兵红箭:已开发出适用于金刚石半导体器件研究的衬底材料

e公司讯,中兵红箭5月17日在互动平台表示,公司目前已开发出适用于高校院所进行金刚石半导体器件研究的衬底材料,在金刚石半导体材料的尺寸、成本等方面尚未达到产业化推广的门...

日期 2024-05-21   超硬新闻

西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产

西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产
西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产
西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产

近日,由西安交通大学王宏兴教授领衔的创业团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得了重大进展和突破。该团队采用一种基于微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术实现了2英寸异...

单晶金刚石第四代半导体衬底及其装备研制项目获批湖南省重点研发计划

单晶金刚石第四代半导体衬底及其装备研制项目获批湖南省重点研发计划

近日,湖南省科技厅正式发布了“关于2023年度湖南省重点研发计划立项项目”清单,共231项。其中,“单晶金刚石第...

日期 2023-08-04   超硬新闻

哈尔滨工业大学:Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展

推荐语:瞄准金刚石晶圆制备这一制约其应用的技术难题,从形核与生长基本理论出发,通过阐述金刚石形核装置、工艺窗口、形核现象、织构生长、位错控制等关键技术细节,对Ir衬底上...

日期 2023-02-02   超硬新闻

西安交大创业团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得重大进展

近日,由西安交通大学王宏兴教授团队领衔的“德盟特半导体”创业团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得了重大进展和突破。作为秦创原总窗口入驻企业,其在研的技术产品主要面向第四...

日期 2022-10-24   超硬新闻
哈工大“一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法”荣获中国专利金奖

哈工大“一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法”荣获中国专利金奖

7月26日,第二十三届中国专利奖评选结果揭晓,哈尔滨工业大学斩获一金一银(全国专利金奖30项、专利银奖60项),...

日期 2022-08-08   超硬新闻

日本先进工业科学与技术研究院:拼接法单晶金刚石衬底上HFCVD硼掺杂外延层的水平和垂直方向均匀性研究

金刚石因优异的物理、电子性能而在功率电子器件和量子技术领域里表现出诱人的应用前景。想要实现这些应用,需要表面平整、内部没有严重晶体缺陷的本体材料和缺陷数量可控的高质量外...

黄河旋风“大尺寸蓝宝石衬底片切割专用金刚石线锯”项目获省科技厅鉴定

黄河旋风“大尺寸蓝宝石衬底片切割专用金刚石线锯”项目获省科技厅鉴定

9月21日,黄河旋风“大尺寸蓝宝石衬底片切割专用金刚石线锯”项目,在前期评审的基础上,获得了河南省科技厅颁发的“...

日期 2020-09-24   企业新闻

盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程

盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到41.4W/mm。近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮...

日期 2019-08-29   超硬新闻

【成果推介】2 英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化

【成果推介】2 英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
【成果推介】2 英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
【成果推介】2 英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化

1.项目简介金刚石单晶集电学、光学、力学和热学等优异特性于一体,在高温、高频、高效大功率电子器件、生物传感器、日盲紫外和粒子闪烁体探测与成像、光电器件、航空航天和武器系...

日期 2019-05-27   超硬新闻
一种带金属衬底的金刚石磨块

一种带金属衬底的金刚石磨块

申请号:201720775041.7申请日:2017.06.29申请人:福建省泉州市华钻金刚石工具有限公司发明人...

日期 2018-02-07   行业专利

日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术,将显著提高GaN HEMT性能

日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术,将显著提高GaN HEMT性能
日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术,将显著提高GaN HEMT性能
日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术,将显著提高GaN HEMT性能

12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通实验室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

日期 2017-12-22   国际资讯

我国研制成功半导体金刚石衬底材料

近日,由中国科学院半导体研究所和中国科学院大学共同承担的北京市科技计划课题“5mm×5mm半导体金刚石衬底材料研制”通过验收。金刚石是超宽禁带半导体材料,具有载流子迁移...

日期 2017-11-27   超硬新闻
一种利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法

一种利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法

申请号:201710322318.5申请人:中国电子科技集团公司第四十六研究所发明人:齐成军陈建丽张嵩王再恩王军...

日期 2017-08-28   行业专利
1234   共 77 条记录

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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。