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       金刚石半导体产业化在即

       金刚石半导体产业化在即！生长技术大幅度提升，金刚石从工业级-宝石级-热学级-光学级-电子级，逐步跃迁，同时价格下行，带动应用端的尝试。市场需求驱动金刚石优异性质被不断挖掘，功能化应用场景不断丰富，金刚石在国防、5G/6G无线通讯、能源互联网、新能源汽车、量子技术、能源存储等领域凸显战略地位。

       随着现代社会对电力需求的不断增加，电力系统的可靠性、高效性和可持续性成为当今电力工程领域亟待解决的核心问题，功率半导体，作为电力电子领域的重要组成部分，扮演着关键的角色。随着人工智能、 5G/6G 通讯、 云计算、 新能源汽车等新兴市场出现， 功率半导体市场面临着巨大的机遇和挑战。半导体材料的革新对于行业具有颠覆性影响。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）、金刚石（Diamond）等为代表的（超）宽禁带半导体相比于传统硅材料（Si）在开关效率、尺寸、频率等功率器件关键性能指标上优势明显，但谁将是下一代新的功率半导体材料？ 

       第三代、第四代半导体衬底材料如何高效加工？器件散热如何攻克？

       衬底质量，决定着终端器件的性能、可靠性和稳定性。在数字化时代的浪潮中，半导体衬底材料作为产业链的支点，撬动着无数创新技术的发展与突破。从第一代硅基到第三代宽带隙材料，它们在半导体器件的制备中不仅是基础，更是行业进一步升级的核心因素。衬底材料的生产技术是决定器件性能的关键环节之一。这一过程包括了晶体生长、衬底的制备和加工，以及后续的表面处理技术，每一个步骤都对最终产品的质量和性能有着深远的影响。其中切磨抛、晶圆键合在半导体产业链上占据关键一环，超精密加工工艺，是保障这些新型半导体材料的功能化应用实现的基础。

       另外， 高性能芯片的散热一直是电子产品服役中的突出难题。 随着先进封装技术的快速发展， 多芯片系统（Chiplets） 的集成度和功耗不断提升， 导致芯片散热问题极为严峻。 金刚石被认为是最佳芯片散热衬底材料， 但芯片与金刚石衬底键合以及集成散热技术是产业目前面临的难点， 这对金刚石材料生长、 加工、 键合、 集成等环节又有哪些新的要求。 相对成熟的 SiC、 GaN， 如何优化工艺及降本增效？ 封装散热及可靠性问题如何解决？ 推进超宽禁带材料（如氧化镓和金刚石） 技术的研发并开始商业化需要什么？

       12月5-7日，由DT新材料联合北京先进材料产业促进会、中国超硬材料网、甬江实验室、中国科学院宁波材料技术与工程研究所、宽禁带半导体技术创新联盟等众多单位携手打造的第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech 2024）将在上海新国际博览中心举办。针对半导体与加工主题，设置宽禁带半导体及创新应用论坛、金刚石前沿应用及产业发展论坛、超硬材料与超精密加工论坛、培育钻石论坛。

       论坛邀请中国电子科技集团有限公司原副总经理，赵正平教授、中国电子科技集团公司第四十六研究所首席专家，王英民研究员、大连理工大学，王德君教授、南方科技大学深港微电子学院院长，于洪宇教授、哈尔滨工业大学，王晨曦教授、浙江工业大学超精密加工技术研究中心主任，袁巨龙教授、大连理工大学，康仁科教授、南方科技大学，吴勇波教授、哈尔滨工业大学，赵清亮教授、湖南大学无锡半导体先进制造创新中心主任，尹韶辉教授、河南工业大学，栗正新教授、上海交通大学，孙方宏教授、中国科学院宁波材料技术与工程研究所，江南研究员、西安交通大学，王宏兴教授、哈尔滨工业大学，朱嘉琦教授、厦门大学，于大全教授、江南大学，敖金平教授、深圳大学异质异构国家重点实验室，郭跃进研究员……50余位嘉宾，从材料——器件——加工——应用——需求5个环节，分享产学研最新进展。