减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构 _专利

减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构

关键词微管缺陷形成|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构公开号1167511公开日1997.12.10主分类号

名称	减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构
公开号	1167511	公开日	1997.12.10
主分类号	C30B19/02	分类号	C30B19/02;C30B29/36
申请号	95196526.3
分案原申请号		申请日	1995.11.22
颁证日		优先权	[32]1994.11.30[33]US[31]08/346,618
申请人	克里研究公司	地址	美国北卡罗莱纳
发明人	弗拉迪米·A·德米特伊; 斯维拉纳·V·伦达科瓦; 弗拉	国际申请	PCT.US95/15276 95.11.22
国际公布	WO96.17112 英 96.6.6	进入国家日期	1997.05.30
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平
摘要	公开了一种用来制作基本上没有微管缺陷的碳化硅外延层的方法。此方法包含用液相外延方法，在碳化硅衬底上，从碳化硅在硅和一种使碳化硅在熔体中的溶解度增大的元素中的熔体中，生长一个碳化硅外延层。熔体中该元素的原子百分比相对于硅的原子百分比占优势。借助于在恰当条件下继续生长外延层，直至外延层的厚度达到使衬底中存在的微管缺陷不再重现于外延层中而终止由衬底传入外延层的微管缺陷，从而显著减少了外延层中微管缺陷的数目。