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       专利号：201110119079

       申请人：天津理工大学

       技术简要说明：一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法，采用多步生长法来沉积纳米金刚石薄膜，具体步骤如下：1）将硅衬底用磨料进行研磨处理；2)在上述研磨处理后的硅衬底上沉积金刚石；3）对上述已沉积的金刚石薄膜表面用磨料进行研磨处理；4）在上述研磨处理后的金刚石薄膜表面再次沉积金刚石；5）重复进行步骤3）和4），即可制得高致密纳米金刚石薄膜。本发明的优点是：1）可以制得晶粒小于100nm的高致密纳米金刚石薄膜；2）金刚石薄膜的晶粒范围和致密程度可通过调节沉积方法、沉积时间和研磨-沉积重复次数来进行控制；3）制备方法简单易行；4）用于研磨的金刚石粉容易获取，可循环利用，成本低廉。

       主权利要求：１．　一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法，其特征在于：采用多步生长法来沉积纳米金刚石薄膜，具体步骤如下：１）将硅衬底用磨料进行研磨处理；２）　在上述研磨处理后的硅衬底上沉积金刚石；３）对上述已沉积的金刚石薄膜表面用磨料进行研磨处理；４）在上述研磨处理后的金刚石薄膜表面再次沉积金刚石；５）重复进行步骤３）和４），即可制得高致密纳米金刚石薄膜。