生长非常均匀的碳化硅外延层 _专利

生长非常均匀的碳化硅外延层

关键词碳化硅外延层 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称生长非常均匀的碳化硅外延层公开号1282386公开日2001.01.31主分类号C30B25/02

名称	生长非常均匀的碳化硅外延层
公开号	1282386	公开日	2001.01.31
主分类号	C30B25/02	分类号	C30B25/02
申请号	98812328.2
分案原申请号		申请日	1998.12.14
颁证日		优先权	1997.12.17 US 08/992,157
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗莱纳
发明人	O·C·E·科迪纳;K·G·伊尔温;M·J·派斯雷	国际申请	PCT.US98/26558 1998.12.14
国际公布	WO99.31306 英 1999.6.24	进入国家日期	2000.06.16
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	龙传红
摘要	公开一种改良的化学气相沉积方法，该方法能增强碳化硅外延层的均匀性并且对得到较厚外延层特别有用。该方法包括将反应器加热到碳化硅原料气体在反应器内基体上形成外延层的温度；和让原料气体和载气流过加热的反应器在基体上形成碳化硅外延层，同时载气包括氢气和第二种气体的混和气体，其中第二种气体的热导要低于氢气热导，使得原料气体在通过反应器时它的消耗比使用单一氢气作载气时的更低。

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