在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层 _专利

在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层

关键词碳化硅外延层 |2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称在沿方向切割的基片上生长的碳化硅外延层公开号1377311公开日2002.10.30主分类号

名称	在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层
公开号	1377311	公开日	2002.10.30
主分类号	B32B7/00	分类号	B32B7/00;B32B9/00;B32B18/00;C03B25/02;C01B31/36
申请号	00809431.4
分案原申请号		申请日	2000.06.01
颁证日		优先权	1999.6.24__US_09/339,510
申请人	高级技术材料公司	地址	美国康涅狄格州
发明人	巴巴拉·E·兰迪尼;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂?	国际申请	PCT/US00/15155 2000.6.1
国际公布	WO00/79570 英 2000.12.28	进入国家日期	2001.12.24
专利代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	王维玉;丁业平
摘要	一种碳化硅外延膜，其生长在六方晶体形式的SiC晶体基片的切 ;基片晶向约6度到约10度的切割角。所得的碳化硅外延膜具有优良的形态和材料性能。

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