碳化硅晶体生长的方法和装置_专利

碳化硅晶体生长的方法和装置

关键词碳化硅|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅晶体生长的方法和装置公开号1384892公开日2002.12.11主分类号C30B25/00分

名称	碳化硅晶体生长的方法和装置
公开号	1384892	公开日	2002.12.11
主分类号	C30B25/00	分类号	C30B25/00;C30B23/00;C30B29/36
申请号	00814001.4
分案原申请号		申请日	2000.10.05
颁证日		优先权	1999.10.8 US 09/415,402
申请人	克里公司	地址	美国北卡罗莱纳
发明人	O·C·E·科迪那;M·J·帕斯雷	国际申请	PCT/US00/41076 2000.10.5
国际公布	WO01/27361 英 2001.4.19	进入国家日期	2002.04.08
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王杰
摘要	本发明公开了一种所需的多型高质量碳化硅芯棒可控的、长期的并可重复的生长的方法和装置，其采用涂有一薄层金属碳化物的石墨坩埚，并且碳化物从下列这组材料中选取：钽、铪、铌、钛、锆、钨和钒的碳化物。

① 凡本网注明"来源：超硬材料网"的所有作品，均为河南远发信息技术有限公司合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明"来源：超硬材料网"。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。

② 凡本网注明"来源：XXX（非超硬材料网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

③ 如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的，请在30日内进行。

※ 联系电话：0371-67667020