用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体 _专利

用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体

关键词硅衬底 , β碳化硅晶体薄膜|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体公开号1224084公开日1999.07.28主分类号C30B

名称	用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
公开号	1224084	公开日	1999.07.28
主分类号	C30B19/00	分类号	C30B19/00
申请号	98112814.9
分案原申请号		申请日	1998.01.23
颁证日		优先权
申请人	西安理工大学	地址	710048陕西省西安市金花南路
发明人	陈治明	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	西安理工大学专利事务所	代理人	杨引雪; 倪金荣
摘要	本发明利用硅衬底上异质外延的β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体，属于晶体制备技术领域，是针对碳化硅这种难熔、难制晶体提出的一种特殊方法。这种方法把３Ｃ－ＳiＣ异质外延单晶薄层及其硅衬底作为一体化的液相外延衬底和源，利用硅衬底熔化后溶解石墨坩埚壁形成的碳饱和溶液，实现以β－ＳiＣ外延薄膜为籽晶进行的碳化硅晶体单面抛光的低温、低成本生长。由于生长过程只涉及高纯石墨和硅片，可避免升华法生长碳化硅的高度杂质补偿。