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哈工大“一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法”荣获中国专利金奖

哈工大“一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法”荣获中国专利金奖

7月26日,第二十三届中国专利奖评选结果揭晓,哈尔滨工业大学斩获一金一银(全国专利金奖30项、专利银奖60项),...

日期 2022-08-08   
第六届硅晶体生长技术交流会推迟到2022年12月份举办

第六届硅晶体生长技术交流会推迟到2022年12月份举办

因为新冠疫情不可抗拒因素,上海SNEC光伏展会确定由2022年5月24日至5月26日延期到2022年12月27日...

日期 2022-04-22   

金刚石的晶体生长奥秘

金刚石的晶体生长奥秘
金刚石的晶体生长奥秘
金刚石的晶体生长奥秘

在自然界的平衡环境中,大多数晶体的形成及其生长和变化都需要经历漫长的地质历史。但是在实验室条件下,晶体形成和生长的时间尺度就可以大大缩短。这固然是人工条件下改变了晶体的...

日期 2022-04-21   

NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展

NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展
NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展
NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展

单晶金刚石凭借优异的力、热、光、电等性质,在探测器、功率器件、量子计算等领域具有广泛的应用前景,但大尺寸低缺陷高纯度晶体的合成是制约其应用的主要瓶颈。作为两种最常用的C...

日期 2021-12-29   
哈尔滨工业大学915MHz微波等离子体化学气相沉积系统(金刚石生长设备)公开招标公告

哈尔滨工业大学915MHz微波等离子体化学气相沉积系统(金刚石生长设备)公开招标公告

哈尔滨工业大学915MHz微波等离子体化学气相沉积系统(金刚石生长设备)招标项目的潜在投标人应在必联网(http...

日期 2021-10-12   

沃尔德获71家机构调研:可基本稳定生长10-11克拉的钻石毛坯

沃尔德10月8日发布投资者关系活动记录表,公司于2021年9月28日接受71家机构单位调研,机构类型为QFII、保险公司、其他、基金公司、海外机构、证券公司、阳光私募机...

日期 2021-10-11   

高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究

高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究
高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究
高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究

单晶金刚石(SCD)具有优异的物理化学性能,在制备时通常需要高功率微波等离子体源,可以通过提高功率或者增加压力等方式来进行制备。然而,在高沉积压力作用下,微波等离子球的...

日期 2021-09-09   
苑博士讲钻石:CVD生长培育钻石技术突破的第一阶段已成功

苑博士讲钻石:CVD生长培育钻石技术突破的第一阶段已成功

CVD生长培育钻石第一阶段成功的定义,为利用2英寸托盘的反应炉同时生长出:1、正白颜色。2、SI1以上净度。3、...

日期 2021-06-17   

WT:CVD金刚石生长技术的意义

21世纪是由技术的快速发展推动的,这些技术加强了创造具有高导电特性的新材料的动力。因此,鉴于实验室生长钻石的高物理性质及其与其他材料结合的多功能性,人造钻石不仅作为珠宝...

日期 2021-04-15   
MPCVD 单晶金刚石生长研究及其进展

MPCVD 单晶金刚石生长研究及其进展

金刚石作为新一代宽禁带半导体具有优异的电学特性,比如大的禁带宽度(5.5eV)、高的载流子迁移率(空穴:3800...

日期 2021-02-05   

硅掺杂对高温高压合成金刚石大单晶生长的影响

硅掺杂对高温高压合成金刚石大单晶生长的影响
硅掺杂对高温高压合成金刚石大单晶生长的影响
硅掺杂对高温高压合成金刚石大单晶生长的影响

金刚石具有极其优异的性能,例如最高的硬度和最大的导热率,极宽的透光波段以及耐酸碱腐蚀性能强等特点。同时,金刚石的相关色心缺陷,如氮空位(NV)中心、硅空位(Si−V)中...

日期 2020-06-23   
四方达:疫情之下的“逆生长”

四方达:疫情之下的“逆生长

2020年的一场疫情,让大多数线下商业一夜之间歇业。各行各业的有效需求都被疫情抑制。在复工复产的大浪潮下,很多企...

日期 2020-04-23   

改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!

改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!
改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!
改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!

科学家们研究了一个真正的单层,即大面积石墨烯薄膜覆盖在大面积铜箔上。改进了化学气相沉积(CVD)生长方法,消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“完美”的单层单...

日期 2019-09-05   

“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延

“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延
“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延
“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延

金刚石具有宽带隙,高热导率,高载流子迁移率,低介电常数等优越特性,在各领域中有着巨大的应用价值。其中,金刚石单晶更以其没有晶界和较低的缺陷密度而成为目前金刚石在高功率及...

日期 2019-05-10   

集聚全产业链 共建生长平台——超硬材料企业产业对接恳谈会圆满举办

集聚全产业链 共建生长平台——超硬材料企业产业对接恳谈会圆满举办
集聚全产业链 共建生长平台——超硬材料企业产业对接恳谈会圆满举办
集聚全产业链 共建生长平台——超硬材料企业产业对接恳谈会圆满举办

2019年4月23日下午,由中国超硬材料网与奥克斯产城事业部共同发起的超硬材料企业产业对接恳谈会在郑州上街生态新城指挥部成功举办。上街区科工局局长王玉洁、上街区生态新城...

日期 2019-04-25   
科研创新 | 黄河旋风攻克2~3克拉培育钻石快速生长技术瓶颈

科研创新 | 黄河旋风攻克2~3克拉培育钻石快速生长技术瓶颈

培育钻石项目组传出喜讯,2~3克拉培育钻石项目取得突破进展,项目组在前期克拉钻石生产工艺稳定的基础上,开发出培育...

日期 2018-09-03   
生长速率提高10倍!科学家成功开发10微米厚的高品质单晶硅

生长速率提高10倍!科学家成功开发10微米厚的高品质单晶硅

东京理工大学和早稻田大学的一个研究小组已经成功的制造出高质量的薄膜单晶硅,其晶体缺陷密度降低到了硅晶圆级,其增长...

日期 2018-03-20   
微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台

微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台

申请号:201720707933.3申请日:2017.06.16申请人:北京科技大学发明人:李成明;赵云;林亮珍...

日期 2018-01-08   
一种利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法

一种利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法

申请号:201710322318.5申请人:中国电子科技集团公司第四十六研究所发明人:齐成军陈建丽张嵩王再恩王军...

日期 2017-08-28   
一种基于孕镶金刚石原位沉积生长金刚石涂层的工艺方法

一种基于孕镶金刚石原位沉积生长金刚石涂层的工艺方法

申请号:201710120268.2申请人:同济大学发明人:简小刚黄卓甘熠华 

日期 2017-07-19   
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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。