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一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法

申请号:201410794743.0申请人:哈尔滨工业大学发明人:王杨代兵朱嘉琦舒国阳摘要:本发明公开

日期 2015-04-24   
石墨烯超低温可控外延生长研究取得进展

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近日,微尺度物质科学国家实验室张振宇教授理论研究组与国内外相关课题组合作,在石墨烯超低温可控外延生长研究方面取得...

日期 2013-06-06   

在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延

名称在沿方向切割的基片上生长的碳化硅外延层公开号1377311公开日2002.10.30主分类号

日期 2010-12-24   

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法

名称在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法公开号1369904公开日2002.09.18主分类号H01L21/3

日期 2010-12-24   

生长非常均匀的碳化硅外延

名称生长非常均匀的碳化硅外延层公开号1282386公开日2001.01.31主分类号C30B25/02

日期 2010-12-23   

减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构

名称减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构公开号1167511公开日1997.12.10主分类号

日期 2010-12-23   

同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法

名称同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法公开号1057869公开日1992.01.15主分类号C30B25/02&

日期 2010-12-09   
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