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郑州华晶金刚石股份有限公司

金刚石半导体,又有突破性新发现!

关键词 金刚石|2025-02-05 10:43:03|来源 Carbontech
摘要 在材料科学的领域,金刚石被认为是一种非常特殊的材料。它不仅因其出色的硬度和光学透明性而闻名,还因其在电子学和量子技术中的潜在应用而受到越来越多的关注。最近,一项突破性的研究发现,通...

       在材料科学的领域,金刚石被认为是一种非常特殊的材料。它不仅因其出色的硬度和光学透明性而闻名,还因其在电子学和量子技术中的潜在应用而受到越来越多的关注。最近,一项突破性的研究发现,通过对金刚石进行掺硼处理,可以诱发一种新的光学现象——间价等离子体(Intervalence Plasmons,IVPs)。这种现象为金刚石的进一步应用,尤其是在量子信息技术中的应用,提供了新的可能性。

       什么是间价等离子体?

       首先需要了解什么是等离子体。等离子体是一种电子的集体振荡现象,通常出现在金属或某些半导体中。当这些材料中的自由电子响应外部电场时,电子的集体运动会产生一种特殊的光学响应。这种响应通常表现为材料表面或界面处的电磁波,这就是我们通常说的表面等离子体。

       间价等离子体是一种特殊类型的等离子体,它发生在材料的价带内部。通常,等离子体的形成需要自由电子或者导电电子,但间价等离子体的形成并不是因为这些自由电子,而是由于掺硼产生的“孔”(电子缺失的位置)。这些孔使得电子能够在金刚石的不同子带之间进行过渡,从而产生一种特殊的集体电子激发现象。

       金刚石的变化

       金刚石是一种宽带隙半导体,通常不具备自由电子,因此它本身是一个良好的绝缘体。然而,通过掺入硼元素,我们可以在钻石中引入“孔”,从而改变其电子结构。硼原子在金刚石的晶格中起到接受电子的作用,它们创建了一个空穴带,允许电子从价带跃迁到这个空穴带,形成孔。

       这种孔的存在为金刚石的电子结构开辟了新的通道,特别是在较高浓度的硼掺杂下,电子开始在价带内部进行跃迁,这些跃迁就形成了间价带过渡(IVB)。这些IVB过渡不仅改变了金刚石的电子属性,还提供了观察等离子体的机会。

       为了验证这一理论,研究人员采用了多种实验方法,包括扫描透射电子显微镜-价电子损失谱和近场红外光谱。这些技术能够探测到低能量的电子激发,这正是由间价带过渡所引起的。

       在实验中,研究人员发现,掺硼金刚石显示出明显的间价等离子体响应,而未掺硼的金刚石则没有这种现象。具体来说,他们在金刚石样品中观察到一个能量为0.1到0.3电子伏特的不可逆电子激发信号。这一信号与传统的金属等离子体不同,它并不是由自由电子引起的,而是由于价带中的电子跳跃导致的。

       为了深入理解这些实验结果,研究人员还建立了第一性原理模型,通过模拟掺硼金刚石的复杂介电函数,进一步解释了间价等离子体的形成。计算结果与实验数据相符,表明在掺硼金刚石中,电子的跃迁确实能够引发类似等离子体的响应。

       通过这一模型,研究人员还发现,掺硼金刚石的介电函数表现出明显的金属化特征。这意味着,随着掺硼浓度的增加,金刚石的光学和电子特性会变得更加接近金属材料,这也为金刚石在光电子学中的应用提供了新的可能性。

       间价等离子体的应用前景

       间价等离子体的发现不仅为金刚石的基础研究提供了新的视角,还为其在高科技领域的应用开辟了新天地。金刚石在量子计算和量子通信中的应用潜力巨大,尤其是在量子点缺陷和光子学方面。间价等离子体可能会与金刚石中的量子缺陷合作,增强其光学发射性能和量子信息处理能力。

       此外,金刚石的热导率极高,能够有效散热,这使得它在高功率电子设备中的应用前景更加广阔。通过调节金刚石中的掺硼浓度,研究人员或许能够制造出既具有优异热导性,又具备等离子体行为的材料,为下一代高效电子器件的设计提供支持。

       总结

       总的来说,掺硼金刚石中的间价等离子体现象为我们提供了一种全新的方式来调节和利用金刚石的电子性质。通过精确控制掺硼的浓度,科学家们能够调节金刚石的光学和电子行为,使其在未来的量子技术、光电子学和高效电子器件中扮演更加重要的角色。

       这一发现不仅为我们提供了新的材料设计思路,也为未来金刚石材料的实际应用提供了更多的可能性。随着掺硼技术的进一步发展,金刚石在现代科技中的应用范围可能会大大扩展,成为一种关键材料,推动多个前沿科技领域的进步。

       原文:Bhattacharya, S., Boyd, J., Reichardt, S. et al. Intervalence plasmons in boron-doped diamond. Nat Commun 16, 444 (2025). https://doi.org/10.1038/s41467-024-55353-0

 

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