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金刚石/GaN异质外延技术:突破与挑战

金刚石/GaN异质外延技术:突破与挑战
金刚石/GaN异质外延技术:突破与挑战
金刚石/GaN异质外延技术:突破与挑战

在半导体技术的前沿领域,金刚石/GaN异质外延技术正受到广泛关注。异质外延技术通常需要在外延表面沉积缓冲层,包括金刚石异质外延GaN技术和GaN底面异质外延金刚石技术。...

日期 2024-10-25   超硬新闻
单晶金刚石异质外延生长有限,该如何推动技术整合发展

单晶金刚石异质外延生长有限,该如何推动技术整合发展

金刚石被广泛提议用于未来的量子和电子技术。金刚石中的色心具有卓越的相干性和强大的自旋光子界面。这使得量子网络演示...

日期 2024-10-17   超硬新闻

3.35英寸!宁波晶钻同质外延单晶金刚石再次突破

3.35英寸!宁波晶钻同质外延单晶金刚石再次突破
3.35英寸!宁波晶钻同质外延单晶金刚石再次突破
3.35英寸!宁波晶钻同质外延单晶金刚石再次突破

近日,在宁波晶钻科技股份有限公司的金刚石产业园内,一颗颗CVD大单晶金刚石如期上线。其中,一颗60mm×60mm的单晶金刚石片映入眼帘。据了解,该金刚石片采用的是同质外...

日期 2024-07-31   超硬新闻

半导体所在大尺寸金刚石单晶异质外延生长方面取得进展

半导体所在大尺寸金刚石单晶异质外延生长方面取得进展
半导体所在大尺寸金刚石单晶异质外延生长方面取得进展
半导体所在大尺寸金刚石单晶异质外延生长方面取得进展

作为一种超宽带隙半导体材料,金刚石具有禁带宽度大、载流子迁移率高,载流子饱和漂移速度大、临界击穿场强大、热导率高等优点,非常适合用于制备高频、大功率、耐高温、抗辐照的电...

日期 2024-07-18   超硬新闻

西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产

西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产
西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产
西安交大成功实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产

近日,由西安交通大学王宏兴教授领衔的创业团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得了重大进展和突破。该团队采用一种基于微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术实现了2英寸异...

异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展

异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展
异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展
异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展

1异质外延单晶金刚石微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是高质量单晶金刚石制备的主流方法。根据衬底选择可将其分为同质外延和异质外延两种。同质外延以单晶金刚石为衬底,通...

哈尔滨工业大学:Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展

推荐语:瞄准金刚石晶圆制备这一制约其应用的技术难题,从形核与生长基本理论出发,通过阐述金刚石形核装置、工艺窗口、形核现象、织构生长、位错控制等关键技术细节,对Ir衬底上...

日期 2023-02-02   超硬新闻
哈工大“一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法”荣获中国专利金奖

哈工大“一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法”荣获中国专利金奖

7月26日,第二十三届中国专利奖评选结果揭晓,哈尔滨工业大学斩获一金一银(全国专利金奖30项、专利银奖60项),...

日期 2022-08-08   超硬新闻

日本先进工业科学与技术研究院:拼接法单晶金刚石衬底上HFCVD硼掺杂外延层的水平和垂直方向均匀性研究

金刚石因优异的物理、电子性能而在功率电子器件和量子技术领域里表现出诱人的应用前景。想要实现这些应用,需要表面平整、内部没有严重晶体缺陷的本体材料和缺陷数量可控的高质量外...

NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展

NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展
NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展
NCM综述 | 哈尔滨工业大学朱嘉琦教授:单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展

单晶金刚石凭借优异的力、热、光、电等性质,在探测器、功率器件、量子计算等领域具有广泛的应用前景,但大尺寸低缺陷高纯度晶体的合成是制约其应用的主要瓶颈。作为两种最常用的C...

日期 2021-12-29   超硬新闻
上海光机所在金刚石异质外延方面取得进展

上海光机所在金刚石异质外延方面取得进展

到目前为止,解决固体激光器的热管理问题仍然具有挑战性。在所有已知材料中,金刚石具有最高的热导率、极其稳定的物化性...

日期 2021-09-16   超硬新闻

高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究

高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究
高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究
高气压下双基片结构MPCVD侧向外延生长单晶金刚石的研究

单晶金刚石(SCD)具有优异的物理化学性能,在制备时通常需要高功率微波等离子体源,可以通过提高功率或者增加压力等方式来进行制备。然而,在高沉积压力作用下,微波等离子球的...

日期 2021-09-09   超硬新闻

“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延

“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延
“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延
“超大”单晶片和“超大”钻石生长之:金刚石异质外延

金刚石具有宽带隙,高热导率,高载流子迁移率,低介电常数等优越特性,在各领域中有着巨大的应用价值。其中,金刚石单晶更以其没有晶界和较低的缺陷密度而成为目前金刚石在高功率及...

日期 2019-05-10   超硬新闻

LED芯片 16 种衬底、外延及芯片结构分析

近几年LED技术发展迅速,取得衬底、外延及芯片核心技术突破性进展。1、图形化衬底LED外延现阶段普遍使用图形化衬底(PSS),PSS目前分为微米级PSS和纳米级nPSS...

日期 2016-01-07   电子光伏
一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法

一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法

申请号:201510443127.5申请人:哈尔滨工业大学发明人:朱嘉琦舒国阳代兵陈亚男杨磊王强王杨刘康赵继文孙...

一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法

申请号:201510459097.7申请人:哈尔滨工业大学发明人:朱嘉琦舒国阳代兵杨磊王强王杨陈亚男赵继文刘康孙明琪韩杰才摘要:一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空...

日期 2015-10-28   行业专利

一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法

申请号:201510199722.9申请人:哈尔滨工业大学发明人:舒国阳代兵朱嘉琦王杨杨磊韩杰才&

日期 2015-07-30   行业专利

金刚石同质外延横向生长方法

申请号:201510023907.4申请人:王宏兴发明人:王宏兴李硕业王玮张景文卜忍安侯洵摘要:本

日期 2015-06-03   行业专利

一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法

申请号:201410794743.0申请人:哈尔滨工业大学发明人:王杨代兵朱嘉琦舒国阳摘要:本发明公开

日期 2015-04-24   行业专利
石墨烯超低温可控外延生长研究取得进展

石墨烯超低温可控外延生长研究取得进展

近日,微尺度物质科学国家实验室张振宇教授理论研究组与国内外相关课题组合作,在石墨烯超低温可控外延生长研究方面取得...

日期 2013-06-06   超硬新闻
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