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美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜

美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料,可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出...

日期 2012-08-24   国际资讯
新形式“浑沌”晶体硬度可与金刚石相比

新形式“浑沌”晶体硬度可与金刚石相比

据物理学家组织网8月17日(北京时间)报道,最近,美国卡内基研究院与内布拉斯加大学林肯分校科学家合作,创造出一种...

日期 2012-08-18   国际资讯

用含硅的触媒合金合成对金刚石晶体生长产生什么影响?

答:实践证明,硅对人造金刚石晶体生长的影响主要表现在两个方面:一是能使晶体生长速度明显加快;二是不同晶面的生长速度受压力和温度的影响较大。

日期 2012-07-27   知识问答

科学家研发石墨烯晶体管便捷制造方法

据物理学家组织网近日报道,德国和瑞典的科学家发现,在碳化硅晶体上使用一个类似简单的平板印刷过程,就可以制造石墨烯晶体管,目前尚不知将模型按比例缩小后,其运行速度为多少,...

日期 2012-07-27   矿山冶金

合金晶格常数和磁矩对金刚石晶体生长的影响?

答:用下述合金合成金刚石,其差别十分明显,如用含Mn5%的合金生长金刚石,70/80占12.9%,是含Mn10%合金的2.3~5.1倍,而40/50是含Mn10%合金的...

日期 2012-07-11   知识问答

Mn-Ni-C系合金的化学成分对金刚石晶体的生长参数、产量和质量有何重要影响?

答:(1)常压下,在含有30-40%Ni的Mn-Ni-C系合金中碳的存在明显地降低其熔点。(2)~48.9GPa压力和含有46~48%的Ni的Mn-Ni-C系合金的参与...

日期 2012-07-10   知识问答

触媒合金表面结构变化对金刚石晶体生长有什么影响?

答:关于这个问题可以从以下两个事实给予说明。例1:用渗氮和不渗氮触媒合成金刚石的效果表明,触媒渗氮有提高金刚石晶体抗压强度的作用,但金刚石得量很低,由X衍射分析得知,镍...

日期 2012-07-09   知识问答
元素六:单晶体人造钻石创室温量子比特存储时间新纪录

元素六:单晶体人造钻石创室温量子比特存储时间新纪录

元素六领导着世界上人造钻石、天然的工业级钻石和其他工业研磨材料的研发和制造。这些材料主要用于制造专业的工具,如钻...

日期 2012-06-11   超硬新闻

韩制成可伸缩石墨烯晶体

据美国物理学家组织网报道,韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质,新型晶体管克服了由传统半导体材料制成...

日期 2011-11-02   国际资讯

什么是晶体晶体具有哪些特点?

具有晶格构造的固体叫晶体。晶体内部构造,最明显的特点是分布很有规律,不是杂乱无章,质点分布的规律性又表现在相同的质点做有规律的重复。晶体中相同的质点在空间的各个方向上按...

日期 2011-09-29   知识问答
方晶体与六方晶体金刚石有何差异?

晶体与六方晶体金刚石有何差异?

结晶格子中,一个原子与相邻四个原子具有正四面体结构的情况,存在六方晶系和立方晶系两种可能。天然金刚石和人造金刚石...

日期 2011-09-28   知识问答

为什么碳原子能组成两种几何结构和性质很不相同的晶体

这与碳原子的外层电子结构和碳原子之间在什么样子的情况下相互作用有关。以碳原子的外层电子出发,经过一定的理论分析,可以看出一个碳原子与周围的碳原子相互作用形成共价键时,可...

日期 2011-09-27   知识问答
日本用钻石制成双极晶体管 可放大电流降低能耗

日本用钻石制成双极晶体管 可放大电流降低能耗

钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率,但钻石通常电阻非常大,限制了其应用。日本研究人员在钻石...

日期 2011-09-15   国际资讯

IBM研发出新石墨烯晶体

据美国物理学家组织网4月11日报道,IBM公司的科学家林育明(音译)等人在4月8日出版的《自然》杂志撰文指出,他们研发出了新的石墨烯晶体管,其截止频率为155GHz(吉...

日期 2011-07-19   国际资讯

IBM研发出新石墨烯晶体管 具备商业化生产条件

据美国物理学家组织网4月11日报道,IBM公司的科学家林育明(音译)等人在4月8日出版的《自然》杂志撰文指出,他们研发出了新的石墨烯晶体管,其截止频率为155GHz(吉...

日期 2011-04-13   超硬新闻

碳化硅晶体生长的方法和装置

名称碳化硅晶体生长的方法和装置公开号1384892公开日2002.12.11主分类号C30B25/00分

日期 2010-12-24   行业专利

碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用

名称碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用公开号1339173公开日2002.03.06主分类号H01L21/335

日期 2010-12-24   行业专利

人造金刚石压机用的晶体顶锤

名称人造金刚石压机用的晶体顶锤公开号2215345公开日1995.12.20主分类号B01J3/06

日期 2010-12-24   行业专利

射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件

名称射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件公开号1359535公开日2002.07.17主分类号H01L21/6

日期 2010-12-24   行业专利

高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法

名称高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法公开号1347570公开日2002.05.01主分类号H01L29/

日期 2010-12-24   行业专利
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