碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用_专利

碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用

关键词碳化硅|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用公开号1339173公开日2002.03.06主分类号H01L21/335

名称	碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用
公开号	1339173	公开日	2002.03.06
主分类号	H01L21/335	分类号	H01L21/335;H01L29/772;H01L29/24
申请号	00803404.4
分案原申请号		申请日	2000.02.01
颁证日		优先权	1999.2.3___SE_9900358－4
申请人	阿克里奥股份公司	地址	瑞典基斯塔
发明人	克里斯托弗·哈里;安德雷·康斯坦丁欧夫	国际申请	PCT/SE00/00192 2000.2.1
国际公布	WO00/46850 英 2000.8.10	进入国家日期	2001.08.02
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚
摘要	一种用于高开关频率的碳化硅横向场效应晶体管，它包含横向分隔开的重掺杂n型源区层(5) 和漏区层(6)、横向延伸并将源区层与漏区层互连以便在晶体管处于接通态时使电流在这些层之间传导的 n型沟道层(4)、以及安排来通过改变施加到栅电极的电位而控制沟道层成为导电或截止的栅电极(9)。重掺杂p型基极层(12)被排列在沟道层紧邻，至少部分覆盖栅电极且横向离漏区层一定距离。基极层被短路到源区层。

① 凡本网注明"来源：超硬材料网"的所有作品，均为河南远发信息技术有限公司合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明"来源：超硬材料网"。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。

② 凡本网注明"来源：XXX（非超硬材料网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

③ 如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的，请在30日内进行。

※ 联系电话：0371-67667020