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　　化学机械抛光的原理是，在机械研磨晶片的同时发生了化学腐蚀作用，这样就能除去切片或磨片时所产生的机械表面损伤层（或称亚表面损伤层），使晶体片表面光洁如镜，达到预定的抛光效果。
　　在实验室中使用的化学机械抛光方法主要有两种：铬离子抛光和二氧化硅胶体抛光。我们用二氧化硅化学机械抛光的方法，对硅片进行加工，举例说明其化学机械抛光的原理：
　　二氧化硅是酸性氧化物，所以将二氧化硅溶入氢氧化钠溶液中，有小部分二氧化硅与氢氧化钠反应生成硅酸钠（Na2SiO3），其反应式如下：
　　Si02+2NaOH=Na2SiO3+H2O
　　大部分二氧化硅微粉分散在氢氧化钠水溶液中，形成二氧化硅胶体。用二氧化硅与氢氧化钠溶液配制成的二氧化硅胶体抛光液，PH一般控制在9左右。
　　二氧化硅胶体中的氢氧化钠对硅有腐蚀作用，生成硅酸钠溶于水中，从而对硅片产生了化学抛光作用，其反应如下：
　　Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2
　　同时，二氧化硅胶粒对硅片也起机械抛光作用。
　　归纳起来就是：硅片表面被碱腐蚀，生成硅酸盐。二氧化硅胶体颗粒对这层不完全键合的硅酸盐进行机械磨削。实现去除晶体片表面机械损伤层，使之表面平整光洁如镜。
　　切磨抛工艺看起来简单，但操作起来还是很有学问的，是很细致地工作。不注意就会出现问题，所加工的晶体片的质量就无法保证，或者要走弯路。下面，就切磨抛工序的一些操作步骤，为什么要这样的，介绍给大家，使您工作起来很顺利。