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官方微信摘要 名称类金刚石薄膜形成装置和形成方法公开号1178263公开日1998.04.08主分类号C30B29/04
| 名称 | 类金刚石薄膜形成装置和形成方法 | ||
| 公开号 | 1178263 | 公开日 | 1998.04.08 |
| 主分类号 | C30B29/04 | 分类号 | C30B29/04 |
| 申请号 | 97117950.6 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1997.09.01 | |
| 颁证日 | 优先权 | [32]1996.8.30[33]JP[31]230550/96;[32]1996.8.30[33] | |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 地址 | 日本东京 |
| 发明人 | 田直幸; 山地茂; 中谷元 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 摘要 | 本发明的课题是获得一种与基材密接性好、高硬高且平整性出色的高质量金刚石状碳（ＤＬＣ）薄膜。它包括：在真空槽１内保持基材３的基材基座４；调整基材３温度的基材温度调整机构６；与基材３相对的气体离子源１０；在基材３上加电压的偏置手段５，上述气体离子源１０由与基材３相对设有节流孔的反应气体导入室１１；热电子辐射手段１２；热电子引出电极１３和加速电极１５组成。此外，包括具有热电子辐射手段１２和向基材３加速离子的加速电极１５的气体离子源１０，同时具有相对于加速电极１５ | ||
豫公网安备41010202002335号