金刚石膜的选择性气相生长 _专利

金刚石膜的选择性气相生长

关键词金刚石膜 , 气相生长 |2010-12-09 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称金刚石膜的选择性气相生长公开号1045815公开日1990.10.03主分类号C23C16/26

名称	金刚石膜的选择性气相生长
公开号	1045815	公开日	1990.10.03
主分类号	C23C16/26	分类号	C23C16/26;C23C16/04;H01L21/31
申请号	89107565.8
分案原申请号		申请日	1989.09.29
颁证日		优先权
申请人	吉林大学	地址	吉林省长春市朝阳区解放大路83号
发明人	邹广田	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	吉林大学专利事务所	代理人	王恩远
摘要	本发明属一种在半导体衬底表面选择性生长金刚石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金刚石成核密度具有很大差异这一性质，实现了金刚石膜的选择性生长。主要工艺过程为研磨，生长隔离膜，光刻，制备金刚石膜，化学腐蚀等，所制备的金刚石膜具有质量高，选择性生长好，不破坏衬底等优点，而且制备参数易于控制，工艺简单，成品率高。本方法制备的金刚石膜可应用于大规模集成电路，微波器件，光电器件等半导体器件的制备。

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