制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置 _专利

制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置

关键词碳化硅单晶|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置公开号1225953公开日1999.08.18主分类号C30B29

名称	制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
公开号	1225953	公开日	1999.08.18
主分类号	C30B29/36	分类号	C30B29/36
申请号	99100967.3
分案原申请号		申请日	1999.01.18
颁证日		优先权	[32]1998.1.19[33]JP[31]007537/98;[32]1998.1.26[33]
申请人	住友电气工业株式会社; 西野茂弘	地址
发明人	盐见弘; 西野茂弘	国际申请	日本大阪府
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	柳沈知识产权律师事务所	代理人	陶凤波
摘要	一种用于制造ＳiＣ单晶的装置，包括：一Ｓi设置部分，其中放有固态硅；一籽晶设置部分，其中放有ＳiＣ的籽晶；一合成容器，适合于容纳Ｓi设置部分、籽晶设置部分和碳；加热构件，适合于加热Ｓi设置部分和籽晶设置部分；和一控制部分，用于向加热构件输送一指令，以将硅加热到硅的蒸发温度或更高，和将籽晶加热到高于Ｓi的温度；其中，由加热构件蒸发的Ｓi适于达到籽晶设置部分。本发明还涉及制造ＳiＣ单晶的方法。

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