| 名称 | 生产碳化硅单晶的方法 | ||
| 公开号 | 1191580 | 公开日 | 1998.08.26 |
| 主分类号 | C30B7/00 | 分类号 | C30B7/00 |
| 申请号 | 96195700.X | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1996.07.17 | |
| 颁证日 | 优先权 | [32]1995.7.27[33]DE[31]19527536.5 | |
| 申请人 | 西门子公司 | 地址 | 联邦德国慕尼黑 |
| 发明人 | 勒内·斯坦; 罗兰·鲁普; 约翰尼斯·沃尔科 | 国际申请 | PCT.DE96/01299 96.7.17 |
| 国际公布 | WO97.5303 德 97.2.13 | 进入国家日期 | 1998.01.21 |
| 专利代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 范明娥 |
| 摘要 | 公开了一种生产ＳｉＣ立体单晶的新方法。在高的超压下将ＳｉＣ粉末或者其它原料溶解在一种溶剂中，并在一个晶核上生长。 | ||
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