电沉积金-碳化硅复合镀层 _专利

电沉积金-碳化硅复合镀层

关键词电沉积金 , -碳化硅 , 复合镀层 |2010-12-21 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称电沉积金-碳化硅复合镀层公开号85100021公开日1986.01.10主分类号C25D15/00

名称	电沉积金 -碳化硅复合镀层
公开号	85100021	公开日	1986.01.10
主分类号	C25D15/00	分类号	C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02
申请号	85100021
分案原申请号		申请日	1985.04.01
颁证日		优先权
申请人	天津大学	地址	天津市南开区七里台
发明人	郭鹤桐; 王兆勇; 邱训高	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	天津大学专利代理事务所	代理人	张宏祥; 曲远方
摘要	一种用于继电器触点的抗电侵蚀的耐磨复合镀层,是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上.复合镀层中弥散有占镀层体积0.1-10%,粒径小于0.5微米的SiC 微粒.这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度,低的摩擦系数,接触电阻略大于金,但低于金合金,并且耐电侵蚀性、抗腐蚀及抗变色能力强.这种Au-SiC复合镀层可在含有SiC微粒的,氰化物的、酸性的及亚硫酸盐的镀金溶液中获得.